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[发明专利]金属化-CN03819573.9无效
发明人：詹姆斯·汤姆森 -专利权人：赛米格有限公司
申请日： 2003-06-18 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： C23C18/08 文献下载
摘要：本发明涉及在制备金属沉积物中使用的光敏有机金属化合物。特别是，本发明涉及光敏有机金属化合物如二－(全氟丙基)－1，5－环辛二烯铂(II)(即(C₃F₇)₂PtC₈H₁₂)，其通过UV辐射曝光，然后通过还原过程形成铂金属沉积物如可以导电的基本上连续的薄“片状”薄膜或基本上的窄传输线。
金属化

[实用新型]端面具有金属化层的金属化薄膜带-CN02216232.1无效
发明人：裘国建 -专利权人：裘国建
申请日： 2002-03-19 - 公布日： 2003-02-12 - 主分类号： H01G4/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种端面具有金属化层的金属化薄膜带，包括由薄膜带和金属化镀层构成的金属化薄膜带，其特征在于在金属化薄膜带的端面上有金属化层，端面上金属化层与金属化薄膜带边侧的金属化镀层相连；在金属化薄膜带上有若干条金属化镀层，在金属化薄膜带的两边侧有金属化镀层，金属化薄膜带的两侧端面上有金属化层；在金属化薄膜带的一边侧有薄膜带留边，在未留边一侧的金属化薄膜带的端面上有金属化层。本实用新型的优点是能增大金属化薄膜带的端面导电截面积，使之做成的电容器主体端面与引出端的导电截面积增大。
端面具有金属化薄膜

[发明专利]半导体装置-CN201710455884.3在审
发明人：尼克萨姆拉;斯帝芬鲁苏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种半导体装置包括：位于彼此顶上的第一金属化层、第二金属化层、及第三金属化层，设置于衬底上方，其中所述第一金属化层、所述第二金属化层、及所述第三金属化层中的每一者包括形成于相应介电层中的相应金属化结构，其中所述第二金属化层设置于所述第一金属化层与所述第三金属化层之间；以及通孔塔结构，从所述第一金属化层延伸至所述第三金属化层，以电耦合所述第一金属化层与所述第三金属化层各自的所述相应金属化结构的至少一部分
金属化层半导体装置金属化结构电耦合介电层塔结构衬底通孔延伸

[实用新型]点火电容器-CN201721924520.7有效
发明人：张亮 -专利权人：南京星梵电子科技有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01G4/228 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种点火电容器，该点火电容器10包括：电容芯子金属化薄膜11金属化薄膜、喷金层金属化薄膜12金属化薄膜及焊片金属化薄膜13金属化薄膜；其中，所述喷金层金属化薄膜12金属化薄膜覆盖于所述电容芯子金属化薄膜11金属化薄膜的两个端面上；所述焊片金属化薄膜13金属化薄膜设置于电容芯子金属化薄膜11金属化薄膜的两个端面上且与所述喷金层金属化薄膜12金属化薄膜相连接。本实用新型提供的点火电容器，采用金属化薄膜无感卷绕方式，可以减小电容器的等效电感；金属化薄膜采用串式设计，可以电容器的耐压能力，降低电容器的容量，从而降低电容器放电时间。
金属化薄膜点火电容器电容器电容芯子喷金层本实用新型焊片电容器放电等效电感卷绕方式耐压能力串式减小覆盖

[发明专利]一种双面散热芯片倒装的气密性耐高温封装结构-CN202210039284.X在审
发明人：王来利;朱梦宇;杨成子;孔航;郭伟力;杨奉涛;齐志远;伍敏 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面散热芯片倒装的气密性耐高温封装结构，包括上陶瓷基板、下陶瓷基板及金属密封带；上陶瓷基板的内部设置有第一金属化区域、第二金属化区域、第三金属化区域、第四金属化区域、第五金属化区域、第六金属化区域、第七金属化区域、第八金属化区域、上桥臂的SiC MOSFET、下桥臂的SiC MOSFET、第一垫片、第二垫片、第三垫片及第四垫片；上陶瓷基板的背面设置有第一背部金属化区域、第二背部金属化区域、第三背部金属化区域、第四背部金属化区域、第五背部金属化区域、第六背部金属化区域及第七背部金属化区域，该结构具有低成本、高可靠性、低寄生参数及耐高温的特点。
一种双面散热芯片倒装气密性耐高温封装结构

[发明专利]电感器及形成电感器的方法-CN201510266928.9在审
发明人： B·兰德格拉夫;M·霍弗 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：提供一种用于半导体器件的电感器，包括：多个结构化的金属化层，其中所述多个结构化的金属化层至少包括第一金属化层、安置在第一金属化层之上的第二金属化层、安置在第二金属化层之上的第三金属化层以及安置在第三金属化层之上的第四金属化层；其中第一金属化层的部分和第四金属化层的部分形成第一线圈；其中第二金属化层的部分和第三金属化层的部分形成第二线圈；以及其中第二线圈布置在由第一线圈限定的内部空间之内。
电感器形成方法

[发明专利]特高纯氧化铝陶瓷金属化方法-CN202010419627.6在审
发明人：罗毅;段冰;尚华;林贵洪 -专利权人：宜宾红星电子有限公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： C04B41/88 文献下载
摘要：本发明属于电子功能陶瓷材料技术领域，具体涉及一种特高纯氧化铝陶瓷金属化方法。针对氧化铝陶瓷金属化烧结过程导致的陶瓷基体强度低、热导率及气密性差等问题，本发明提供了一种特高纯氧化铝陶瓷金属化方法，包括以下步骤：a、称取原材料粉体，分散于酒精，球磨、烘干，制备金属化浆料添加剂；b、将钼粉、三氧化钼粉、锰粉、金属化浆料添加剂混合，得到粉料，球磨，制得金属化粉料；c、金属化粉料振磨，即得金属化浆料；d、将金属化浆料印刷或涂覆后烧结，得到金属化产品。本发明的金属化浆料烧结温度低于现有烧结温度，可多次金属化烧结，提高金属化层厚度，镀镍后，金属化层的剥离效果好，剥离强度高，金属化抗拉强度性能好。
高纯氧化铝陶瓷金属化方法

[发明专利]表面贴装混合耦合器-CN202011205040.1在审
发明人：俞志华 -专利权人：增强信（苏州）通信设备有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：本发明涉及表面贴装混合耦合器，金属化通孔一～三从铜箔层一贯穿介质层二～五至铜箔层五；金属化通孔四～七从铜箔层一贯穿介质层二～六至铜箔层六；金属化通孔八～九从铜箔层四贯穿介质层五～六至铜箔层六；微带传输线一位于铜箔层五，一端接金属化通孔二，另一端接金属化通孔五；微带传输线二位于铜箔层五，一端接金属化通孔一，另一端接金属化通孔四；螺旋微带线一位于铜箔层二，一端接金属化通孔六，另一端接金属化通孔一；螺旋微带线二位于铜箔层三，一端接金属化通孔七，另一端接金属化通孔二；金属化接地层一通过金属化通孔三接金属化接地层二；金属化接地层二一侧通过金属化通孔八接引脚端口二，另一侧通过金属化通孔九接引脚端口五。
表面混合耦合器

[实用新型]表面贴装混合耦合器-CN202022492865.8有效
发明人：俞志华 -专利权人：增强信（苏州）通信设备有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及表面贴装混合耦合器，金属化通孔一～三从铜箔层一贯穿介质层二～五至铜箔层五；金属化通孔四～七从铜箔层一贯穿介质层二～六至铜箔层六；金属化通孔八～九从铜箔层四贯穿介质层五～六至铜箔层六；微带传输线一位于铜箔层五，一端接金属化通孔二，另一端接金属化通孔五；微带传输线二位于铜箔层五，一端接金属化通孔一，另一端接金属化通孔四；螺旋微带线一位于铜箔层二，一端接金属化通孔六，另一端接金属化通孔一；螺旋微带线二位于铜箔层三，一端接金属化通孔七，另一端接金属化通孔二；金属化接地层一通过金属化通孔三接金属化接地层二；金属化接地层二一侧通过金属化通孔八接引脚端口二，另一侧通过金属化通孔九接引脚端口五。
表面混合耦合器

[实用新型]一种三串联锯齿形薄膜电容器-CN201120483669.2有效
发明人：周峰 -专利权人：安徽赛福电子有限公司
申请日： 2011-11-29 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种三串联锯齿形薄膜电容器，其包括具有两条金属化膜的电容器芯子。所述两条金属化膜上各有两个金属化层，其中一个金属化膜上的两个金属化层与另一个金属化膜上的两个金属化层平行且不相通，四个金属化层位于两条金属化膜的相同侧以与两条金属化膜间隔设置，面向相同两条金属化层的两条金属化膜的边缘为连续的锯齿形金属化膜上有金属化层的边缘为连续的锯齿形，提高了喷金层和金属化膜上金属化层的接触面积，增加了喷金层和电容器端面的附着力。
一种串联锯齿形薄膜电容器

[实用新型]磁控管用金属化陶瓷绝缘环-CN201320040639.3有效
发明人：朱广汇 -专利权人：无锡康伟工程陶瓷有限公司
申请日： 2013-01-24 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01J23/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及磁控管用金属化陶瓷绝缘环，包括中心设有通孔的白瓷体，所述白瓷体的上下端上分别紧密结合有金属化层，其特征在于：所述金属化层包括金属化钼层和金属化镍层，所述金属化钼层与白瓷体直接结合，所述金属化镍层与金属化钼层结合本实用新型采用金属化粉料颗粒与陶瓷晶相颗粒合理匹配技术，在不提高烧结温度前提下，使金属化钼层在烧结时能与陶瓷体形成紧密结合，然后再在金属化钼层上制作金属化镍层，提高了陶瓷金属化层的表面质量和抗拉强度；金属化陶瓷壁增厚至2mm，减少了由于磁控管内磁场产生电流过大致使陶瓷壁被击穿或产生裂痕的现象发生；金属化陶瓷内径增至12mm，在相同电流作用下，能够增加磁控管发射微波的功率。
管用金属化陶瓷绝缘

[发明专利]半导体器件的金属化-CN201510645378.1有效
发明人：保罗·赫伊斯坎普;霍德弗里德·亨克里斯·约瑟夫斯·诺特曼斯 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2015-10-08 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明涉及包括金属化堆叠的半导体器件。金属化堆叠可包括第一金属化层与第二金属化层。第一金属化层可以通过两个或多个堆叠的金属间通孔而电连接到第二金属化层。
半导体器件金属化

[发明专利]半侧金属化半侧非金属化盲槽的加工方法和印刷电路板-CN202210581994.5在审
发明人：周德良;刘国汉;郑伟生;徐梦云 -专利权人：珠海杰赛科技有限公司;广州杰赛电子科技有限公司;广州杰赛科技股份有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种半侧金属化半侧非金属化盲槽的加工方法和印刷电路板，并公开了采用上述加工方法所得的印刷电路板，加工方法包括以下步骤：半固化片开设用于容纳阻胶材料的窗口；通过半固化片将下层基板和上层基板压合在一起，形成多层板；上层基板和半固化片开设金属化半槽；在多层板的外表面镀上外层铜皮，以完成金属化半槽的金属化；上层基板和半固化片开设非金属化半槽，去除阻胶材料，得到具有半侧金属化半侧非金属化的盲槽。采用先加工金属化半槽，然后金属化半槽进行金属化，再加工非金属化半槽的方式加工出具有半侧金属化半侧非金属化的盲槽。加工步骤少，操作简单，从而能较快地得到所需的盲槽。
金属化半侧非加工方法印刷电路板

[发明专利]内串式金属化膜直流高压电容器-CN201310448269.1无效
发明人：曹骏骅;谢兴明 -专利权人：安徽赛福电子有限公司
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：本发明公开了一种内串式金属化膜直流高压电容器，包括配对金属化膜，所述配对金属化膜包括层叠设置的上膜和下膜，上膜镀设有金属化膜一和金属化膜二，下膜镀设有金属化膜三，所述金属化膜一和所述金属化膜二之间、以及多个所述金属化膜二之间均设置有间隙一，两个或多个所述金属化膜二之间均设置有间隙二，所述间隙一与所述间隙二等宽，所述金属化膜二和所述金属化膜三等宽，且所述间隙一的中线与所述金属化膜三的中线对齐。本发明所述的内串式金属化膜直流高压电容器，具有体积小、耐超高压、低自感、低损耗、低等效串联电阻、可靠性高、长寿命的特点。
内串式金属化直流高压电容器

[实用新型]内串式金属化膜直流高压电容器-CN201320600943.9有效
发明人：曹骏骅;谢兴明 -专利权人：安徽赛福电子有限公司
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种内串式金属化膜直流高压电容器，包括配对金属化膜，所述配对金属化膜包括层叠设置的上膜和下膜，上膜镀设有金属化膜一和金属化膜二，下膜镀设有金属化膜三，所述金属化膜一和所述金属化膜二之间、以及多个所述金属化膜二之间均设置有间隙一，两个或多个所述金属化膜二之间均设置有间隙二，所述间隙一与所述间隙二等宽，所述金属化膜二和所述金属化膜三等宽，且所述间隙一的中线与所述金属化膜三的中线对齐。本实用新型所述的内串式金属化膜直流高压电容器，具有体积小、耐超高压、低自感、低损耗、低等效串联电阻、可靠性高、长寿命的特点。
内串式金属化直流高压电容器

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